삼성전자, 시스템반도체 초격차 또 입증

삼성전자, 시스템반도체 초격차 또 입증

한재희 기자
입력 2020-08-13 21:48
수정 2020-08-14 04:10
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업계 최초로 EUV에 3차원 적층 적용

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왼쪽 사진은 웨이퍼 상태의 칩을 2차원으로 나란히 배치한 기존 평면 설계의 모습. 오른쪽은 삼성전자의 3차원 적층 기술인 ‘엑스-큐브’를 적용한 시스템반도체의 설계 이미지다. 삼성전자 제공
왼쪽 사진은 웨이퍼 상태의 칩을 2차원으로 나란히 배치한 기존 평면 설계의 모습. 오른쪽은 삼성전자의 3차원 적층 기술인 ‘엑스-큐브’를 적용한 시스템반도체의 설계 이미지다.
삼성전자 제공
삼성전자가 업계 최초로 7나노 극자외선(EUV) 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술을 적용했다고 13일 밝혔다. 2030년까지 시스템 반도체 분야 1위 달성을 목표로 하고 있는 삼성전자가 초미세 공정이라 3차원 적층이 어려웠던 7나노에서도 다시 한번 ‘기술 초격차’를 입증했다.

3차원 적층 패키지 기술인 ‘엑스-큐브’는 전공정을 마친 웨이퍼 상태의 칩 여러 개를 얇게 쌓아서 하나의 반도체로 만드는 기술이다. 기존에는 칩을 평면(2차원)으로 나란히 배치했는데 3차원으로 적층하면 단위 면적당 저장 용량을 극대화할 수 있다. 위아래 칩끼리 전극으로 연결되기 때문에 데이터 처리속도가 획기적으로 향상되며 전력 효율도 높일 수 있다. 삼성전자는 ‘엑스-큐브’ 기술이 슈퍼컴퓨터나 인공지능(AI), 5세대(5G) 이동통신을 비롯한 고성능의 시스템 반도체를 요구하는 분야에서 경쟁력을 높이는 핵심 요소가 될 것으로 기대하고 있다.

한재희 기자 jh@seoul.co.kr



2020-08-14 19면
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